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SUD50N10-34P-T4-E3

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Numero di parte SUD50N10-34P-T4-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4613 pcs
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Numero di parte SUD50N10-34P-T4-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4613 pcs Scheda dati SUD50N10-34P
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 34 mOhm @ 7A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 56W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata N-Channel 100V 5.9A (Ta), 20A (Tc) 2.5W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.9A (Ta), 20A (Tc)

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