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SUD50N03-09P-E3

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Numero di parte SUD50N03-09P-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 74201 pcs
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Numero di parte SUD50N03-09P-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 63A TO252 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 74201 pcs Scheda dati SUD50N03-09P
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 9.5 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi SUD50N03-09P-E3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 63A (Tc) 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 63A (Tc)

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