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SUD42N03-3M9P-GE3

SUD42N03-3M9P-GE3
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Numero di parte SUD42N03-3M9P-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 42A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4643 pcs
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Numero di parte SUD42N03-3M9P-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 42A TO252 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4643 pcs Scheda dati SUD42N03-3M9P
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9 mOhm @ 22A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi SUD42N03-3M9P-GE3-ND
SUD42N03-3M9P-GE3TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3535pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 42A (Tc) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)

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