SQS966ENW-T1_GE3
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| Numero di parte | SQS966ENW-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 60V |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.394 | $0.346 | $0.267 | $0.198 | $0.158 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQS966ENW-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 60V | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 148038 pcs | Scheda dati | SQS966ENW |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8W | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 36 mOhm @ 1.25A, 10V | Potenza - Max | 27.8W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8W |
| Altri nomi | SQS966ENW-T1_GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 572pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
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