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SQR40N10-25_GE3

SQR40N10-25_GE3
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Numero di parte SQR40N10-25_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 96898 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		2000 pcs
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Product parameter

Numero di parte SQR40N10-25_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 100V 40A TO263 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 96898 pcs Scheda dati SQR40N10-25
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 25 mOhm @ 40A, 10V Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25-GE3-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3380pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)

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