SQP25N15-52_GE3
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| Numero di parte | SQP25N15-52_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.468 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQP25N15-52_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 73519 pcs | Scheda dati | SQP25N15-52 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 52 mOhm @ 15A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 107W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2360pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 150V | Descrizione dettagliata | N-Channel 150V 25A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
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