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SQP10250E_GE3

SQP10250E_GE3
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Numero di parte SQP10250E_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 250V TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 57169 pcs
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Numero di parte SQP10250E_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 250V TO-220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 57169 pcs Scheda dati SQP10250E
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 30 mOhm @ 15A, 10V Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4050pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 250V Descrizione dettagliata N-Channel 250V 53A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 53A (Tc)

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