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SQM50028EM_GE3

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Numero di parte SQM50028EM_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
Stato Lead senza piombo / RoHS
In Stock 39639 pcs
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Numero di parte SQM50028EM_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7 Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile 39639 pcs Scheda dati SQM50028EM
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-7 Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 2 mOhm @ 30A, 10V Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Altri nomi SQM50028EM_GE3DKR temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11900pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

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