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SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3
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Numero di parte SQD40030E_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 77383 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		2000 pcs
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Numero di parte SQD40030E_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 77383 pcs Scheda dati SQ Rugged Series Mosfets Brochure
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) - Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs - Dissipazione di potenza (max) -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi SQD40030E_GE3-ND
SQD40030E_GE3TR		 temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione dettagliata N-Channel 40V Surface Mount TO-252AA Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -

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