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SQ2310ES-T1_GE3

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Numero di parte SQ2310ES-T1_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 176293 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte SQ2310ES-T1_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 176293 pcs Scheda dati SQ2310ES
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-236 Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 30 mOhm @ 5A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi SQ2310ES-T1-GE3
SQ2310ES-T1-GE3TR
SQ2310ES-T1-GE3TR-ND
SQ2310ES-T1_GE3TR		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata N-Channel 20V 6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount TO-236
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)

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