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SQ2303ES-T1_GE3

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Numero di parte SQ2303ES-T1_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CHAN 30V SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 319180 pcs
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Numero di parte SQ2303ES-T1_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CHAN 30V SOT23 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 319180 pcs Scheda dati SQ2303ES
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-236 (SOT-23) Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 170 mOhm @ 1.8A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi SQ2303ES-T1_GE3DKR temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata P-Channel 30V 2.5A (Tc) 1.9W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc)

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