SQ1912EH-T1_GE3
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| Numero di parte | SQ1912EH-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.049 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQ1912EH-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 454011 pcs | Scheda dati | SQ1912EH |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-70-6 | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V | Potenza - Max | 1.5W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi | SQ1912EH-T1_GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
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