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SQ1470AEH-T1_GE3

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Numero di parte SQ1470AEH-T1_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 272156 pcs
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Numero di parte SQ1470AEH-T1_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 272156 pcs Scheda dati SQ1470AEH-T1_GE3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.6V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363, SC70 Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 65 mOhm @ 4.2A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi SQ1470AEH-T1_GE3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 1.7A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-363, SC70
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Tc)

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