SISS23DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SISS23DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.372 | $0.325 | $0.25 | $0.186 | $0.148 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SISS23DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 145542 pcs | Scheda dati | SISS23DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | SISS23DN-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8840pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
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