SISH106DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SISH106DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.282 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SISH106DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 85248 pcs | Scheda dati | SISH106DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8SH | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8SH |
| Altri nomi | SISH106DN-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
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- Parte#:
RMCF1206FT6K04 - Produttori:
Stackpole Electronics, Inc. - Descrizione:
RES 6.04K OHM 1% 1/4W 1206 - Disponibile:
8769244