SISF00DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SISF00DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.244 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SISF00DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 81411 pcs | Scheda dati | SISF00DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8SCD | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V | Potenza - Max | 69.4W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Altri nomi | SISF00DN-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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- Parte#:
DSPIC33FJ16MC102-I/SO - Produttori:
Micrel / Microchip Technology - Descrizione:
IC MCU 16BIT 16KB FLASH 28SOIC - Disponibile:
47731