SIS184DN-T1-GE3
OMRON AUTOMATION & SAFETYLe immagini sono solo di riferimento.
Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
acquistare SIS184DN-T1-GE3 con fiducia da Components-World.HK, 1 anno di garanzia
Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
acquistare SIS184DN-T1-GE3 con fiducia da Components-World.HK, 1 anno di garanzia
Richiedi un preventivo
| Numero di parte | SIS184DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212- |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.645 | $0.572 | $0.452 | $0.351 | $0.277 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIS184DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212- | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 86654 pcs | Scheda dati | SIS184DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8S | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8S |
| Altri nomi | SIS184DN-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1490pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) |
- Prodotti correlati
- Notizie correlate
Prodotti correlati
- Parte#:
SIS322DNT-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 - Disponibile:
230272
- Parte#:
SIS402DN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 - Disponibile:
81324
- Parte#:
SIS410DN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 - Disponibile:
125650
- Parte#:
SIS412DN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK - Disponibile:
270018
- Parte#:
SIS110DN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 - Disponibile:
188430
- Parte#:
SIS406DN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK - Disponibile:
192301
- Parte#:
SIS413DN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 - Disponibile:
232150
- Parte#:
SIS334DN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 - Disponibile:
4618
- Parte#:
SIS330DN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 - Disponibile:
4981
- Parte#:
SIS106DN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212- - Disponibile:
111253
- Parte#:
SIS407ADN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK - Disponibile:
126983
- Parte#:
SIS407DN-T1-GE3 - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK - Disponibile:
131638