SIRB40DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SIRB40DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.237 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIRB40DP-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 80234 pcs | Scheda dati | SIRB40DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.25 mOhm @ 10A, 10V | Potenza - Max | 46.2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi | SIRB40DP-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
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