SIRA62DP-T1-RE3
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| Numero di parte | SIRA62DP-T1-RE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 30V |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.612 | $0.542 | $0.428 | $0.332 | $0.262 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIRA62DP-T1-RE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 30V | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 87103 pcs | Scheda dati | SIRA62DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +16V, -12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 15A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SIRA62DP-T1-RE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4460pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 51.4A (Ta), 80A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 51.4A (Ta), 80A (Tc) |
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