SIRA20DP-T1-RE3
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| Numero di parte | SIRA20DP-T1-RE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.682 | $0.603 | $0.476 | $0.369 | $0.292 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIRA20DP-T1-RE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 75436 pcs | Scheda dati | SIRA20DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +16V, -12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 0.58 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SIRA20DP-T1-RE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10850pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 25V 81.7A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 81.7A (Ta), 100A (Tc) |
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