SIR872DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SIR872DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.247 | $1.127 | $0.905 | $0.704 | $0.583 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIR872DP-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 54351 pcs | Scheda dati | SIR872DP-T1-GE3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 | Altri nomi | SIR872DP-T1-GE3DKR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2130pF @ 75V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 150V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 150V 53.7A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 53.7A (Tc) |
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