SIHH24N65E-T1-GE3
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| Numero di parte | SIHH24N65E-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.862 | $2.576 | $2.118 | $1.775 | $1.546 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHH24N65E-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 21408 pcs | Scheda dati | SIHH24N65E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 150 mOhm @ 12A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 202W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | SIHH24N65E-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2814pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 116nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 23A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
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