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SIHG24N65E-E3

SIHG24N65E-E3
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Numero di parte SIHG24N65E-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 19711 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte SIHG24N65E-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 19711 pcs Scheda dati SIHG24N65E
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 145 mOhm @ 12A, 10V Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi SIHG24N65EE3 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V Descrizione dettagliata N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)

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