SIE860DF-T1-GE3
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| Numero di parte | SIE860DF-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIE860DF-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4290 pcs | Scheda dati | SIE860DF |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 10-PolarPAK® (M) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 21.7A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 10-PolarPAK® (M) |
| Altri nomi | SIE860DF-T1-GE3TR SIE860DFT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (M) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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