SIE816DF-T1-GE3
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| Numero di parte | SIE816DF-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIE816DF-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5492 pcs | Scheda dati | SIE816DF |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 10-PolarPAK® (L) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 19.8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 10-PolarPAK® (L) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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