SIB911DK-T1-GE3
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| Numero di parte | SIB911DK-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIB911DK-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5383 pcs | Scheda dati | SiB911DK |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-75-6L Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V | Potenza - Max | 3.1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Altri nomi | SIB911DK-T1-GE3TR SIB911DKT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 8V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
| Numero di parte base | SIB911 |
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