SIB900EDK-T1-GE3
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| Numero di parte | SIB900EDK-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.08 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIB900EDK-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 267615 pcs | Scheda dati | SIB900EDK |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-75-6L Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V | Potenza - Max | 3.1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Altri nomi | SIB900EDK-T1-GE3TR SIB900EDKT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A |
| Numero di parte base | SIB900 |
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- Parte#:
IRLR8503TR - Produttori:
International Rectifier (Infineon Technologies) - Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK - Disponibile:
5797