SIB800EDK-T1-GE3

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| Numero di parte | SIB800EDK-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIB800EDK-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4096 pcs | Scheda dati | SIB800EDK |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±6V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-75-6L Single | Serie | LITTLE FOOT® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-75-6L |
| Altri nomi | SIB800EDK-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 1.5A (Tc) 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) |
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- Parte#:
DIN-032CSE-S3L-FJ - Produttori:
3M - Descrizione:
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