SIA915DJ-T4-GE3
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| Numero di parte | SIA915DJ-T4-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V SC70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIA915DJ-T4-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V SC70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4361 pcs | Scheda dati | SIA915DJ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 87 mOhm @ 2.9A, 10V | Potenza - Max | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-70-6 Dual | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.7A (Ta), 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta), 4.5A (Tc) |
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