SIA814DJ-T1-GE3
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| Numero di parte | SIA814DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIA814DJ-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5006 pcs | Scheda dati | SIA814DJ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual | Serie | LITTLE FOOT® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 61 mOhm @ 3.3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Altri nomi | SIA814DJ-T1-GE3TR SIA814DJT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
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