SIA110DJ-T1-GE3
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| Numero di parte | SIA110DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.385 | $0.342 | $0.27 | $0.209 | $0.165 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIA110DJ-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 120360 pcs | Scheda dati | SIA110DJ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 55 mOhm @ 4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-70-6 |
| Altri nomi | SIA110DJ-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 50V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 5.4A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Ta), 12A (Tc) |
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