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SI9933CDY-T1-E3

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Numero di parte SI9933CDY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 197615 pcs
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Numero di parte SI9933CDY-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 197615 pcs Scheda dati SI9933CDY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V Potenza - Max 3.1W
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI9933CDY-T1-E3DKR temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 32 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A Numero di parte base SI9933

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