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SI9435BDY-T1-E3

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Numero di parte SI9435BDY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 161583 pcs
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Numero di parte SI9435BDY-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 161583 pcs Scheda dati SI9435BDY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 42 mOhm @ 5.7A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI9435BDY-T1-E3TR
SI9435BDYT1E3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata P-Channel 30V 4.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A (Ta)

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