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SI9407BDY-T1-GE3

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Numero di parte SI9407BDY-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 124205 pcs
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Numero di parte SI9407BDY-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 124205 pcs Scheda dati SI9407BDY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 120 mOhm @ 3.2A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 5W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI9407BDY-T1-GE3TR
SI9407BDYT1GE3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 30V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata P-Channel 60V 4.7A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc)

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