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SI8475EDB-T1-E1

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Numero di parte SI8475EDB-T1-E1
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 161365 pcs
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Numero di parte SI8475EDB-T1-E1 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V MICROFOOT Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 161365 pcs Scheda dati SI8475EDB
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 4-Microfoot Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 32 mOhm @ 1A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 4-XFBGA, CSPBGA
Altri nomi SI8475EDB-T1-E1CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -

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