SI7911DN-T1-E3
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| Numero di parte | SI7911DN-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7911DN-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5960 pcs | Scheda dati | SI7911DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V | Potenza - Max | 1.3W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Altri nomi | SI7911DN-T1-E3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.2A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A |
| Numero di parte base | SI7911 |
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