SI7846DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SI7846DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.519 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7846DP-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 73718 pcs | Scheda dati | SI7846DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 150V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 150V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
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