SI7655ADN-T1-GE3
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| Numero di parte | SI7655ADN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.155 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7655ADN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 147788 pcs | Scheda dati | SI7655ADN-T1-GE3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | SI7655ADN-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 40A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
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