SI7485DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SI7485DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7485DP-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4804 pcs | Scheda dati | Si7485DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SI7485DP-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
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8N3SV75KC-0118CDI8 - Produttori:
IDT (Integrated Device Technology) - Descrizione:
IC OSC VCXO 100MHZ 6-CLCC - Disponibile:
6416