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SI7465DP-T1-E3

SI7465DP-T1-E3
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Numero di parte SI7465DP-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 97037 pcs
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Numero di parte SI7465DP-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 97037 pcs Scheda dati Si7465DP
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 64 mOhm @ 5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8
Altri nomi SI7465DP-T1-E3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata P-Channel 60V 3.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)

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