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SI7302DN-T1-E3

SI7302DN-T1-E3
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Numero di parte SI7302DN-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 64529 pcs
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Numero di parte SI7302DN-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 64529 pcs Scheda dati SI7302DN
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 320 mOhm @ 2.3A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 49 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 220V Descrizione dettagliata N-Channel 220V 8.4A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Tc)

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