SI7272DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SI7272DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.651 | $0.578 | $0.457 | $0.354 | $0.28 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7272DP-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 73412 pcs | Scheda dati | SI7272DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 15A, 10V | Potenza - Max | 22W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi | SI7272DP-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 22W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 25A |
| Numero di parte base | SI7272 |
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- Parte#:
P61-500-S-A-I12-20MA-C - Produttori:
SSI Technologies, Inc. - Descrizione:
SENSOR 500PSIS 1/4 NPT W/TEMP - Disponibile:
483