SI7212DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SI7212DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.22 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7212DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 106730 pcs | Scheda dati | SI7212DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.6V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.8A, 10V | Potenza - Max | 1.3W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Altri nomi | SI7212DN-T1-GE3TR SI7212DNT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A |
| Numero di parte base | SI7212 |
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