SI7153DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SI7153DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 18A POWERPAK1212 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.087 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7153DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 18A POWERPAK1212 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 271798 pcs | Scheda dati | SI7153DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 18A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
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