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SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3
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Numero di parte SI7121DN-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 98984 pcs
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Numero di parte SI7121DN-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 98984 pcs Scheda dati SI7121ADN
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 18 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8
Altri nomi SI7121DN-T1-GE3TR
SI7121DNT1GE3
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 27 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata P-Channel 30V 16A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)

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