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SI7115DN-T1-E3

SI7115DN-T1-E3
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Numero di parte SI7115DN-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 80746 pcs
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Numero di parte SI7115DN-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 80746 pcs Scheda dati SI7115DN
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 295 mOhm @ 4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 52W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8
Altri nomi SI7115DN-T1-E3CT temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 50V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 150V
Descrizione dettagliata P-Channel 150V 8.9A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.9A (Tc)

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