SI7100DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SI7100DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7100DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5716 pcs | Scheda dati | SI7100DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 15A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3810pF @ 4V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 8V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 8V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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