SI5936DU-T1-GE3
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| Numero di parte | SI5936DU-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.293 | $0.255 | $0.197 | $0.146 | $0.117 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI5936DU-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 188428 pcs | Scheda dati | SI5936DU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 10V | Potenza - Max | 10.4W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Altri nomi | SI5936DU-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 27 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
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