SI5456DU-T1-GE3
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| Numero di parte | SI5456DU-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI5456DU-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5301 pcs | Scheda dati | SI5456DU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 10 mOhm @ 9.3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | SI5456DU-T1-GE3CT SI5456DUT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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- Parte#:
RP73PF1E191KBTDF - Produttori:
AMP Connectors / TE Connectivity - Descrizione:
RES 191K OHM 0.1% 1/16W 0402 - Disponibile:
625691