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SI5443DC-T1-E3

SI5443DC-T1-E3
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Numero di parte SI5443DC-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 99632 pcs
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Numero di parte SI5443DC-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 99632 pcs Scheda dati SI5443DC
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 21 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta)

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